代表性期刊：
1. H. Yang, X. Zhou, L. Lu, and S. Zhang, “Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias,” IEEE Electron Device Lett., pp. 1–1, 2022, doi: 10.1109/LED.2022.3223080.
2. P. Wang et al., “Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal‐Oxide Heterojunction Transistor,” Adv. Electron. Mater., p. 2200807, Oct. 2022, doi: 10.1002/aelm.202200807.
3. Zhou, Jitong, Wengao Pan, Dawei Zheng, Fayang Liu, Guijun Li, Xianda Zhou, Kai Wang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2022. “Self-Stabilized Hydrogenation of Amorphous InGaZnO Schottky Diode with Bilayer Passivation.” Advanced Electronic Materials 2200280:1–9. doi: 10.1002/aelm.202200280.
4. Jiye Li, Yuqing Zhang, Jialiang Wang, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Mansun Chan, Xinwei Wang, Lei Lu*, and Shengdong Zhang. 2022. “High-Performance Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO TFTs With 4 Nm-Thick Atomic-Layer-Deposited AlOx Insulator.” IEEE Electron Device Lett.,43(5):729–32. doi: 10.1109/LED.2022.3160514.
5. J. Zhou, Y. Wang, X. Zhou, G. Li, Z. Xia, F. S. Y. Yeung, M. Wong, H. S. Kwok, S. Zhang, L. Lu*, “Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer,” IEEE Electron Device Lett., vol. 42, no. 9, pp. 3381–1341, 2021. DOI: 10.1109/LED.2021.3095921
6. Fayang Liu, Yuheng Zhou, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Xiaohui Zhang, Guijun Li, Meng Zhang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2021. “Roles of Hot Carriers in Dynamic Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors.” IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett., vol. 43, no. 1, pp. 40–43, 2022. DOI: 10.1109/LED.2021.3133011
7. X. Zhou#, L. Lu#, Jin Wei, Yang Liu, K. Wang*, M. Wong, J. K. O. Sin, and H.-S. Kwok,, “Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode,” IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 7, pp. 1017–1020, 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.2996242
8. H. Peng, B. Chang, H. Fu, H. Yang, Y. Zhang, X. Zhou, L. Lu*, S. Zhang*, “Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 7, pp. 1619–1624, 2020. DOI: 10.1109/TED.2020.2975211
9. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018. DOI: 10.1109/LED.2018.2818949
10. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018. DOI:10.1109/LED.2017.2781700
代表性专利：
[1] 郑大伟，陆磊，张盛东，王云萍，严建花，蔡泽宇，“一种肖特基二极管及其制造方法”，中国发明专利申请CN202210872263.6，2022年7月20日。
[2] 郑大伟，陆磊，张盛东，王云萍，严建花，蔡泽宇，“一种肖特基二极管及其制造方法”，中国发明专利申请CN202210857220.0，2022年7月20日。
[3] 陆磊，孙博文，李吉业，王云萍，“透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件”，中国发明专利申请202210618717.7，2022年6月1日。
[4] 王鹏飞，陆磊，王云萍，杨欢，周晓梁，张盛东，“一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法”，中国发明专利申请202210411896.7，2022年4月19日。
[5] 刘发扬，陆磊，张盛东，王云萍，周晓梁，“双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法”，中国发明专利申请202111286452.7，2021年11月2日。
[6] 陆磊，张盛东,焦海龙,张敏,周航,周雨恒,王云萍，“一种应用于柔性薄膜晶体管阵列的结构”，中国发明专利ZL 2020 1 1592468.6，授权，2023年02月03日。
[7] 陆磊，周玮，王文，郭海成，“Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors”，美国专利10,504,939 B2，授权，2017年2月20日。
[8] 陆磊，王文，郭海成， “全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板”，中国实用新型专利ZL 2021 2 2197756.8，授权，2021年9月13日。
[9] 李佳鹏，陆磊，王文，郭海成， “一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7，授权，2017年11月15日。
[10] 陆磊，王文，郭海成，“一种显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2，授权，2016年10月28日。
